FET 等所制备的栅宽 10nm 以下的石墨烯带 FET 的开关比达 等采用热蒸发 4H-Sibsp;外延生长的石墨烯制备的 FET，其电子和空穴迁移率分别为 5，400 和 4，400cm2/(V·s)，比传统半导体材料如 Sibsp;和 Si 高很多﹔Lin 等制备出栅长为 350nm 的高性能石墨烯 FET，其载流子迁移率为 2700 cm2/(V·s)！”
“石墨烯具有极其优异的电学、光学、磁学、热学和力学性能，是理想的纳电子和光电子材料。不但具有极佳的导电性能，其热导率也远超已知的最好的热导体，基于石墨烯结构的电子器件可以有非常好的高频响应，对于弹道输运的晶体管其工作频率有望超过 THz，性能优于所有已知的半导体材料！”
“硅晶的硅基从 7 nm 到 5nm技术，芯片速度大约有 20%的增加。但石墨烯 7nm 技术较硅基 7nm 技术速度的提高高达 300%，相当 15 代硅基技术的改善！”肖俊灼灼而谈。
“而我们的这一款银河-T3芯片，就是采用这样子的技术，它依旧是六核，但是它的单核跑分可以达到2.1万分，多核跑分可以达到5.4